mos飽和區條件
MOSFET的电气特性.1.MOS结构.2.I/V特性:线型区、饱和区.3.电阻、电容、简单RC模型.4.二阶效应:.1)沟道长度调制效应.2)体偏效应.3)小尺寸效应.5.MOS模型.,2021年11月4日—MOS管工作在饱和区(恒流区)与BJT的饱和区不同,称MOS管此区为饱和区,主要表示Vds增加Id...
金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET
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...區或線.性區;在VDS比(c)點大的區域,ID幾乎不隨VDS改變,稱為飽和區或恆流區。歐姆區與飽和區的交界.電壓VDSS必需符合VGD=VGS-VDSS=Vth,即VDSS=VGS-Vth ...
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